Con 3D V-NAND (noto anche come V-NAND o 3D NAND), i transistor sono disposti verticalmente rispetto alla superficie del chip e le righe di memoria flash sono sovrapposte in strati. Questo consente di ottenere una maggiore densità di memoria e riduce al contempo il rischio di interferenze tra le celle. Grazie alle connessioni accorciate tra le celle, aumenta la prestazione elettrica e, di conseguenza, diminuisce il consumo energetico.