Samsung 990 EVO Plus
4000 GB, M.2 2280Prezzo in EUR IVA incl., spedizione gratuita
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Dimensioni memoria
Informazioni sul prodotto
Completa le tue attività in un batter d'occhio. La 990 EVO Plus con la più recente memoria flash NAND offre velocità di lettura/scrittura sequenziale fino a 7.250/6.300 MB/s.
Trasferimento rapido di file di grandi dimensioni.
Alta efficienza per alte prestazioni. Il controller con rivestimento in nichel aumenta i MB/s per watt fino al 73% rispetto al modello precedente e raggiunge le stesse prestazioni e lo stesso controllo termico con un consumo energetico inferiore. Concentrati sul lavoro o sul gioco senza preoccuparti del surriscaldamento o della durata della batteria.
Sfrutta tutta la potenza della tua unità con l'intelligente TurboWrite 2.0. Elabora velocemente grandi quantità di dati e gestisci la grafica più esigente con un'ampia area TurboWrite, ora disponibile con una capacità fino a 4 TB.
Alta efficienza per alte prestazioni. Il controller con rivestimento in nichel aumenta i MB/s per watt fino al 73% rispetto al modello precedente e raggiunge le stesse prestazioni e lo stesso controllo termico con un consumo energetico inferiore. Concentrati sul lavoro o sul gioco senza preoccuparti del surriscaldamento o della durata della batteria.
Sfrutta tutta la potenza della tua unità con l'intelligente TurboWrite 2.0. Elabora velocemente grandi quantità di dati e gestisci la grafica più esigente con un'ampia area TurboWrite, ora disponibile con una capacità fino a 4 TB.
Tipo di SSD | SSD M.2 |
Interfaccia | PCIe 4.0 |
Protocollo | NVMe |
Velocità di scrittura | 6300 MB/s |
Velocità di lettura | 7250 MB/s |
Max lettura random 4K | 1050000 IOPS |
Max scrittura random 4K | 1400000 IOPS |
No. di articolo | 49727977 |
Produttore | |
Categoria | |
No. di fabbricazione | MZ-V9S4T0BW |
Data di rilascio | 13.9.2024 |
Tipo di SSD | SSD M.2 |
Fattore forma | M.2 2280 |
Capacità memoria | 4000 GB |
Interfaccia memoria dati | PCIe 4.0 |
Protocollo SSD | NVMe |
Velocità di lettura | 7250 MB/s |
Velocità di scrittura | 6300 MB/s |
Tipo di memoria (NAND) | TLC |
Max lettura random 4K | 1050000 IOPS |
Max scrittura random 4K | 1400000 IOPS |
Max. TBW (Total Bytes Written) | 2400 TB |
Raffreddamento dell'accumulo | senza dissipatore |
Caratteristiche SSD | Supporto SMART, Supporto SSD TRIM |
Consumo energetico (standby) | 0 W |
Consumo di energia | 5.50 W |
Paese di origine | Cina, Corea del sud, Germania |
Impegno del produttore | RE100 |
Lunghezza | 2.21 cm |
Larghezza | 8.02 cm |
Altezza | 0.24 cm |
Peso | 9 g |
Lunghezza | 14 cm |
Larghezza | 10 cm |
Altezza | 2 cm |
Peso | 60 g |
Le specifiche possono includere traduzioni automatiche non verificate.
14 giorni di recesso legale
30 giorni di diritto di recessoPolitica sui resi
30 giorni di diritto di recessoPolitica sui resi
24 mesi Garanzia legaleCondizioni di garanzia
Valutazioni e opinioni
Ritenuta di garanzia legale
La frequenza con cui un prodotto di questo marchio nella categoria «SSD» presenta un difetto nei primi 24 mesi.
Fonte: Galaxus- 2.HP0,4 %
- 2.Intel0,4 %
- 2.Samsung0,4 %
- 5.Lexar0,5 %
- 6.HPE0,7 %
Durata della garanzia legale
Il tempo di elaborazione che intercorre tra l'arrivo al centro di assistenza e il recupero da parte del cliente, in media in giorni lavorativi.
Fonte: Galaxus- 16.Kingston2 giorni
- 16.Kioxia2 giorni
- 16.Samsung2 giorni
- 16.Silicon Power2 giorni
- 16.WD2 giorni
Percentuale di reso
La frequenza con cui un prodotto di questo marchio nella categoria «SSD» viene restituito.
Fonte: Galaxus- 2.Kingston1,5 %
- 2.Silicon Power1,5 %
- 4.Samsung1,6 %
- 5.Patriot1,8 %
- 6.Team Group1,9 %
Fonte: Galaxus